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温度频差
Tolerance over the Temperature Range
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温度范围 Temperature Range
A: 0℃～+50 ℃
B:-10 ℃～+60 ℃
C:-20 ℃～+70 ℃
D: -30℃～+80 ℃
E: -40 ℃～+85 ℃
or specify
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偏差范围 Tolerance Range
±10PPM,±20PPM,±30PPM
or specify
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电容
Capacitance
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静态电容
Shunt Capacitance
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晶片频率越高,静电容越大;
镀膜时电极越大,静电容越大.
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动态电容
Dynamic Capacitance
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一般,厂家不作要求.
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负载电容
Load Capacitance
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0 ～32Pf or specify
(负载电容:测试时加此负载测试,一般,客户常用负载为9 ～22pf)
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等效电阻
Equivalent Series Resistance
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影响电阻因素很多:晶片,制造工艺,环境等.
晶片本身对电阻影响很大:
1. 晶片频率越低,电阻越大
2. 晶片表面积越效,电阻越大;晶片上镀膜面积越小,电阻越大.
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激励功率
Drive Level
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10μW ～100μW
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气密性
Leakage
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Gross Leak: 1.3*10-5Pa.m3/s Max
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Fine Leak: 2.1*10-9Pa.m3/s Max
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1、标称频率
该频率特指晶体技术条件中规定的频率，表示为MHz或KHz。
2、调整频差
标称频率在一定温度（一般是25℃）下的允许偏差，表示为百分数（%）或百万分之几（ppm）。
3、工作温度范围
石英晶体元器件在规定的误差内工作的温度范围。
4、温度频差
在规定条件下，在工作温度范围内相对于基准温度（25℃±2℃）时工作频率的允许偏差。
5、储存温度
晶体在非工作状态下保持标准特性的温度范围。
6、激励功率(DL)
晶体工作时所消耗功率的表征值。
最大功率是大多数功率器件在保证正常电气参数的情况下，维持工作所消耗的功率，单位为mW或uW。一般情况激励功率应维持在确保石英晶体正常起振和稳定振荡所需要的最低值，以避免年老化特性不良和晶体损伤。
7、负载电容（CL）
与晶体一起决定负载谐振频率的有效外界电容。任何外部电容一旦与石英晶体串联，即会成为其谐振频率的一个决定因素。负载电容变化时，频率也会随之改变。因此，在电路中使用时，经常会以标准负载电容来微调频率至期望值。
8、静态电容（C0）
等效电路中与串联臂并接的电容。
9、等效串联电阻（Rr）
晶体在谐振频率下的电阻值，单位为欧姆。
10、绝缘电阻
引线之间或引线和壳体之间的电阻。
1、DLD2
在特定的功率范围内所测量到的最大与最小阻抗的偏差量。
12、RLD2
在指定的变化功率范围内测量到的最大阻抗。
13、老化
工作频率在特定时间范围内的变化量，一般表达为最大值，单位是每年频率变化量的百万分之几（ppm/年）。频率随时间而变化的原因有很多，如：密封性和完整性、制造工艺、材料类型、工作温度和频率。
1. 频率：27.000MHz
2. 频差：（25℃±2℃）±30PPm
3. 外形：HC-49US
4. 振动模式：AT-基频
5. 工作温度：-20℃-70℃
6. 温度频差：±30PPm（-20℃-70℃）
7. 贮存温度：-55℃-125℃
8. 激励功率：100uW MAX
9. 负载电容：20PF
10. 静电容：7PF MAX
11. 等效电阻：40 ohm
12. 绝缘电阻：500 Mega ohm MIN./DC 100V
13. DLD2：9 ohm MAX （0.01uw，0.2uw，0.3uw，1uw，5uw，20uw，50uw）
14. RLD2：40 ohm MAX（0.01uw，0.2uw，0.3uw，1uw，5uw，20uw，50uw）
15. 年老化率：±5PPm/year
16. 跌落测试：在75cm高处自由落体在硬木板上3次，频率偏差小于±5PPm，电阻偏差小于±15%
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